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射頻開關

文章來源: 東莞市潺林電子有限公司人氣:2159發表時間:2017-06-21 16:58:57

      射頻開關包括一個開關主電路和開關次電路,該開關主電路的一端為射頻信號輸入端,另外一端為射頻信號輸出端,該射頻信號輸出端與負載連接;該開關主電路包括多個串聯連接的MOSFET;該開關次電路的一端連接于開關主電路的射頻信號輸出端,另一端接地;該開關次電路包括多個串聯連接的MOSFET;其中,開關次電路中鄰近開關主電路射頻信號輸出端的MOSFET溝道尺寸的寬度與長度的比值(W/L)比遠離開關主電路射頻信號輸出端的MOSFET的溝道尺寸的寬度與長度的比值(W/L)大。本申請采用較少數量的串聯MOSFET能實現更高的線性度,防止開關分次電路中MOSFET在大電壓擺幅下被擊穿,從而實現更有性價比的射頻開關芯片。